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IPB019N08N3 G /
IPB019N08N3 G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14200pF @ 40V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-7

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 270µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：206nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：180A

Rds On-漏源导通电阻：1.6mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：206nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：300W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

正向跨导 - 最小值：103S

下降时间：33ns

上升时间：73ns

典型关闭延迟时间：86ns

典型接通延迟时间：28ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPB019N08N3 G
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深圳市威雅利发展有限公司IPB019N08N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB019N08N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPB019N08N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB019N08N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB019N08N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPB019N08N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPB019N08N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPB019N08N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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IPB019N08N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 270?A 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO689.86 Kbytes共9页IPB019N08N3 G的PDF下载地址无
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ChipOneStop		IPB019N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH1000+:￥18.62
2000+:￥17.7
5000+:￥17.0301
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25000+:￥15.971+:￥29.65
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPB019N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH1000+:￥18.62
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPB019N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH1000+:￥18.62
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Mouser 贸泽电子		IPB019N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 31:¥43.5728
10:¥37.0414
100:¥32.0468
250:¥30.4309
1,000:¥23.052
2,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB019N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH1000+:￥18.62
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10000+:￥17.34
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立创商城		IPB019N08N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 270?A 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道1+:￥41.47
200+:￥16.05
500+:￥15.49
1000+:￥15.21
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